أزاحت شركة Micron Technology الستار عن التفاصيل المعمارية للجيل الحادي عشر من شرائح الذاكرة الوميضية ثلاثية الأبعاد G11 3D NAND، معلنة كسر حاجز 400 طبقة مكدسة عمودياً للمرة الأولى في تاريخ خطوط إنتاجها. وتمكنت الشركة من خلال هذه الهندسة المتقدمة من مضاعفة كثافة تخزين البيانات لتصل إلى رقم قياسي يبلغ 42 جيجابت في المليمتر المربع الواحد، وهو ما يمثل طفرة هائلة تسمح بتصنيع وحدات تخزين SSD بسعات مضاعفة دون الحاجة لزيادة أبعاد الرقاقات أو استهلاك مساحة إضافية على اللوحات المطبوعة.
سرعات نقل واجهة قياسية تفتح آفاق الجيل القادم من وحدات التخزين
إلى جانب الكثافة التخزينية الفائقة، حققت شرائح G11 الجديدة قفزة نوعية في سرعة تبادل البيانات عبر واجهة الاتصال الداخلية لتصل إلى 5,400 ميجانقلة في الثانية (MT/s). وتتيح هذه السرعة استغلال كامل النطاق الترددي لواجهات PCIe 5.0 الحالية والتمهيد لمعيار PCIe 6.0 المستقبلي في محطات العمل ومراكز البيانات، مع تقليص زمن الاستجابة (Latency) وتحسين كفاءة استهلاك الطاقة أثناء عمليات القراءة والكتابة العشوائية الكثيفة التي تتطلبها تطبيقات الذكاء الاصطناعي وتحرير الفيديو فائق الدقة.
ويأتي هذا الإنجاز التقني بالتزامن مع إعلان شركة Solidigm المنافسة والتابعة لعملاق الذواكر الكوري SK hynix عن إلغاء خطط الطرح العام الأولي لأسهمها وتوجيه استثماراتها لبناء مصنع ضخم ومتطور لرقاقات 3D NAND داخل الولايات المتحدة. وتعكس هذه التحركات المتسارعة سباقاً محموماً بين عمالقة التخزين لتلبية الطلب العالمي المتفجر على وحدات SSD عالية السعة، مما يبشر بوصول أقراص تخزين استهلاكية بسعات 8 تيرابايت و16 تيرابايت بحجم M.2 القياسي وبتكلفة تصنيعية أكثر كفاءة خلال المرحلة المقبلة.
