أعلنت KIOXIA Europe GmbH أن شركة KIOXIA Corporation، التابعة لـ KIOXIA Holdings Corporation (TOKYO: 285A)، وشركة Sandisk Corporation (Nasdaq: SNDK)، كشفتا عن تقنية الجيل الجديد من ذاكرة Quad-Level Cell (QLC) 3D Flash، والتي توفر زيادة تصل إلى 60% في كثافة البتات مقارنة بالجيل الثامن، متجاوزةً حاجز 37 Gb/mm²، لتضع معيارًا جديدًا في القطاع من حيث كثافة البتات والأداء وكفاءة استهلاك الطاقة.
وتعتمد التقنية الجديدة على بنية CMOS directly Bonded to Array (CBA) الثورية التي طورتها الشركتان، حيث يتم تصنيع منطق CMOS ومصفوفة الذاكرة على رقاقتين منفصلتين، قبل دمجهما باستخدام محاذاة عالية الدقة من رقاقة إلى رقاقة. وتساهم هذه البنية في تحسين عرض النطاق الترددي لعمليات القراءة والكتابة مقارنةً بذاكرة 3D Flash من الجيل الثامن، كما تجعل التقنية الجديدة أول ذاكرة QLC 3D Flash في القطاع تصل إلى واجهة بسرعة 4.8 Gb/s.
وتعمل التحسينات الإضافية على الواجهة على رفع كفاءة استهلاك الطاقة أثناء نقل بيانات I/O Data-Out، بما يساعد بصورة مباشرة على معالجة تحديات استهلاك الطاقة والتبريد التي تواجه البنية التحتية الحديثة للذكاء الاصطناعي والحوسبة السحابية.
وقال Axel Störmann، نائب الرئيس والمدير التنفيذي للتقنية في KIOXIA Europe GmbH :”مع تزايد انتشار الذكاء الاصطناعي في مختلف جوانب المجتمع، تتطور تطبيقاته إلى ما هو أبعد من الذكاء الاصطناعي التوليدي لتشمل الأنظمة الوكيلة والأنظمة الفيزيائية، ما يخلق متطلبات جديدة لكيفية تخزين البيانات وإدارتها. وستؤدي ذاكرة KIOXIA QLC 3D Flash من الجيل العاشر دورًا مهمًا في التعامل مع النمو السريع للبيانات، من خلال توفير كفاءة تخزين وسعة وقابلية توسع أكبر للبنية التحتية للذكاء الاصطناعي من الجيل التالي”.
وقال Alper Ilkbahar، الرئيس التنفيذي للتقنية في Sandisk :”مع دفع عمليات تدريب الذكاء الاصطناعي والاستدلال وأحمال عمل مراكز البيانات فائقة النطاق إلى نمو غير مسبوق في توليد البيانات، تواجه صناعة التخزين ضغوطًا متزايدة لتوفير سعات أكبر وأداء أعلى وكفاءة محسنة في استهلاك الطاقة. ومن خلال إعادة تعريف حدود الأداء والكفاءة لذاكرة QLC NAND، تحقق ذاكرة QLC 3D Flash من الجيل العاشر مكاسب متزامنة في الكثافة وعرض النطاق الترددي وكفاءة الطاقة، وتضع نموذجًا جديدًا للتخزين الفلاشي عالي السعة يوفر أساسًا قابلًا للتوسع لتطبيقات البنية التحتية من الجيل التالي”.
أبرز تقنيات ذاكرة QLC 3D Flash من الجيل العاشر
- بنية من 332 طبقة وتصميم محسّن لتوزيع المكونات يحققان زيادة تصل إلى 60% في كثافة البتات، لتتجاوز 37 Gb/mm² مقارنةً بالجيل الثامن.
- واجهة NAND بسرعة 4.8 Gb/s مدعومة بتقنية Toggle DDR6.0 وبروتوكول Separate Command Address (SCA) للاستفادة الكاملة من إمكانات الواجهة عالية السرعة.
- بنية CMOS directly Bonded to Array (CBA) لتعزيز قابلية زيادة الكثافة والأداء وكفاءة التصنيع.
- تقنية Power-Isolated Low-Tapped Termination (PI-LTT) لتحسين كفاءة استهلاك الطاقة أثناء نقل بيانات I/O Data-Out.
